随着 AI 计算需求持续推升高带宽存储器（HBM）重要性，亚洲半导体产业正出现一波结构性调整。根据韩国媒体报道，Samsung Electronics 与 SK Hynix 正加速将内部资源转向 HBM4 开发，同时调整供应链策略。对此，Citrini Research 韩国分析师 Jukan 近日发表产业观点，指出一个“过去不存在的新市场”正在形成，HBM4 巨头将光罩外包，而日本光罩厂商将成为潜在受益者。
HBM4 优先，光罩外包释放出新市场
根据《首尔经济日报》报道，三星与 SK 海力士近期已将部分原本负责光罩（photomask）制造与检测的资深工程师，重新分配至 HBM4 相关部门，以加速逻辑晶片整合与提升良率。这项调整导致部分原先由内部完成的光罩制程，开始转向外部委托。
不过，两大记忆体厂并未全面外包。最先进的 EUV（极紫外光）制程（2–5 纳米）光罩仍维持内部生产，外包范围主要集中于较成熟制程。
Jukan 分析指出，这代表一个“过去不存在的新市场”正在形成。日本光罩厂商将成为潜在受益者，特别是在 DRAM 领域具备技术积累的企业，例如 Dai Nippon Printing（DNP）与 TOPPAN Holdings 旗下光罩业务。他认为，即便这类非 EUV 光罩的单价（ASP）不高，但需求从“零到一”的出现，本身就具备战略意义。
SK 海力士下修 HBM4 出货目标，实际产出反而增加
另一方面，SK 海力士正在调整 HBM4 出货策略。根据 ZDNet Korea，该公司计划将今年供应给 NVIDIA 的 HBM4 出货量下修 20% 至 30%，并以 HBM3E 与服务器 DRAM 作为替代。
Jukan 估算，原先约 60 亿 Gb 的 HBM4 出货目标，下修后可能降至约 40 亿 Gb。依此反推，今年市场上对应的 Rubin GPU 产量约落在 160 万颗规模。但他强调，关键不在 GPU 数量，而在记忆体供给结构的变化。
从制程角度来看，HBM4 采用更大晶片面积与更细 TSV（硅穿孔）间距，使单片晶圆可用良品数下降；相较之下，HBM3E 良率已进入 80% 以上成熟区间。当产能从 HBM4 转回 HBM3E 或 DDR5，实际 bit 产出反而增加。
HBM 价格压力浮现，但需求可能对冲
这样的转移，将对价格形成压力。Jukan 指出，目前市场上对 HBM3E 的涨价预期，可能因供给增加而受到抑制。然而，他也提出另一种可能：若充足的 HBM3E 能更快满足 AI 推论服务器需求，进而扩大整体推论市场（inference TAM），需求成长可能反过来支撑价格。
换言之，HBM 市场正进入“供给增加 vs. 需求爆发”的拉锯阶段。
利润结构翻转：DDR5 成为最大赢家
在利润层面，这波调整反而对记忆体厂有利。Jukan 分析，服务器 DDR5 的毛利率目前已显著优于 HBM4，甚至预计在第二季突破 90%，比 HBM3E 高出超过 20 个百分点。这意味着，将产能配置到 DDR5，对厂商而言是更具吸引力的选择。
这也带出一个关键结论：HBM 不再是唯一的高毛利叙事，传统 DRAM 正因 AI 服务器需求重新获得定价权。
三星压力浮现，HBM4 时程恐延后
相较之下，三星的处境则显得较为不利。Jukan 指出，即便 SK 海力士延后 HBM4 出货，NVIDIA 也难以仅依赖三星的产能推动 Rubin GPU 大规模量产，最终可能导致整体产品时程延后。这反而给予 SK 海力士时间追赶，缩小双方差距。同时，对三星而言，将产能投入 HBM4 也意味著放弃高利润的 DDR5 机会成本，进一步压缩策略弹性。
然而，对上游供应链而言，情势则不乐观。Jukan 特别点名，原本随着 HBM4 推进而受惠的检测设备厂，例如 DI 与 Unitest，可能面临营收确认递延风险。由于 HBM4 导入进度放缓，相关设备需求将同步延后，短期业绩承压。
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