2026 年 7 月 15 日，三星电子被曝计划在京畿道器兴园区新建月产能 10 万片晶圆的 DRAM 工厂，总投资达数十万亿韩元。人工智能正在从根本上重塑全球存储芯片的供需结构与定价逻辑。
DRAM（动态随机存取存储器）作为 AI 基础设施的核心组成部分，正经历一场由需求结构突变驱动的周期重构。这场重构与传统存储周期截然不同：它并非由消费电子换机潮推动，而是由 AI 训练与推理对高带宽内存的爆发式需求所引发。理解这一轮 DRAM 周期的演进逻辑，对于把握半导体产业走向与数字资产市场底层基础设施的变化，具有重要的参照意义。
供需缺口扩大至近 15 年峰值
截至 2026 年 7 月，全球存储芯片涨价已进入连续第三个季度。瑞银在 7 月初发布的报告中大幅上调存储价格预期，预计第三季度 DDR 合约价格环比上涨 32%，第四季度环比上涨 18%。该行认为，DRAM 行业供需紧张将至少持续至 2028 年上半年。
这一判断得到了多组数据的交叉验证。TrendForce 集邦咨询数据显示，2026 年第三季度整体 DRAM 格局持续极度紧缺，合约价预计环比上涨 13% 至 18%。摩根士丹利在 7 月 7 日的报告中将 PC DRAM 混合平均售价环比涨幅预期从此前的 3%-8% 大幅上调至 15%-20%，服务器 DRAM 上调至 13%-18%。
供需失衡的深度正在逼近历史极值。瑞银分析指出，若不考虑下游客户库存回补的缓冲效应，2027 年实际供需缺口将从 2026 年的 -8.1% 进一步扩大至 -13.6%，失衡程度达到过去 30 年来罕见水平。高盛研报判断，当前全球存储供需失衡已达到近 15 年峰值。KB 证券分析师金东元更预测，2027 年将是存储器半导体产业 70 年历史中供给最紧缺的时期。
价格上行已从上游原厂传导至全产业链。三星电子计划将 2026 年第三季度通用 DRAM 平均售价环比上调 20%，LPDDR 移动端内存涨幅同样超过 20%。据第一财经报道，已有消费电子终端厂商收到三星关于 DRAM 提价的口头通知。
HBM 成为 DRAM 周期的结构性变量
理解本轮 DRAM 周期的关键，在于 HBM（高带宽内存）这一品类的崛起。HBM 通过将多个 DRAM 芯片垂直堆叠实现超高带宽，是 AI GPU 不可或缺的内存解决方案。
需求端的爆发力惊人。SEMI 中国总裁冯莉明确指出，2026 年 HBM 市场规模预计增长 58% 至 546 亿美元，占 DRAM 市场近四成。尽管三星、SK 海力士、美光三大原厂已将 70% 的新增产能向 HBM 倾斜，整体产能缺口仍高达 50% 至 60%。Omdia 数据显示，2026 年全球 HBM 产量预计同比增长 103%，实现翻倍以上增长。
HBM 对 DRAM 产能的“挤出效应”是供需失衡的核心机制。据行业数据，HBM 在 DRAM 晶圆产能中的占比已从 2020 年的 2% 攀升至 2026 年预估的 25%。一片 HBM 晶圆消耗的产能约相当于三片 DDR5。单颗 HBM 芯片的尺寸比普通 DRAM 芯片大两倍以上，在相同存储容量下，HBM 消耗的晶圆面积和洁净室空间至少是普通 DRAM 的三倍。
产能倾斜的直接后果是通用 DRAM 供给的结构性收缩。KB 证券预计，全球 DRAM 晶圆产量中 HBM 的占比将从 2026 年的 15% 扩大至 2027 年的 34%。这意味着多数新增产能将集中在 HBM，通用型 DRAM 的供给扩张实质上受到有效限制。
AI 服务器已成为 DRAM 最大应用市场，服务器需求占整体 DRAM 需求比重突破 50%。AI 服务器 DRAM 单台用量为普通服务器的 8 至 10 倍。单台服务器的平均 DRAM 搭载量预计将从 2025 年的 1,032 GB 增至 2026 年的 1,432 GB，增幅约 39%。TrendForce 估计，2026 年全球约七成高阶内存产能流向 AI 数据中心。
三大巨头的产能竞赛与份额博弈
在 HBM 驱动的新周期中，SK 海力士、三星电子与美光三大巨头的战略选择正在重塑行业格局。
SK 海力士是目前 HBM 市场的绝对领先者。Counterpoint Research 数据显示，2026 年第一季度全球 HBM 市场按营收计算，SK 海力士以 58% 的份额稳居第一，三星电子与美光各占 21%。法人预测，SK 海力士 2026 年 HBM 营收可达 59.5 亿美元。公司 2026 年全年 HBM 产能已被云厂商长期协议全额锁定。
但领先优势正面临挑战。韩国投资证券 7 月 13 日报告预测，SK 海力士第二季度营收为 80.9 兆韩元（同比增长 264%），营业利润 60.4 兆韩元（同比增长 556%），但较市场共识的 65 兆韩元低约 8%。主要原因是 HBM 销售份额高于竞争对手，导致平均售价涨幅低于市场平均水平。分析师预计，从第三季度 HBM4 开始全面量产后，平均售价涨幅将回归市场均值。
三星电子正全力追赶。公司计划 2026 年在设备投资与研发上投入超过 110 万亿韩元（约合 733 亿美元），较上年增长约 22%。7 月 15 日最新消息显示，三星计划在器兴园区新建月产能 10 万片晶圆的 DRAM 工厂，最快可能于 2026 年第三季度动工。
在 HBM4 产品上，三星已率先实现全球首次量产出货。TrendForce 在 6 月报告中指出，三大 HBM4 原厂验证进度已出现显著分歧，三星在验证中处于领先地位。三星预计 2026 年 HBM 销售额将较上年增长三倍以上。
美光虽然在三家厂商中 HBM 产能最小，但增长势头最为迅猛。公司 2026 财年第三财季（截至 5 月）营收达 414.6 亿美元，同比暴增 346%。DRAM 业务贡献营收 313 亿美元，占总营收 76%。毛利率达 84.9%，反超英伟达。
更令市场瞩目的是第四财季指引：营收预计约 500 亿美元，毛利率约 86%，每股收益约 31 美元。美光 2026 年全年 HBM 产能已在固定价格合约下售罄。公司设备投资计划较上年大幅增长超过 90%。
从周期到结构：DRAM 的长期逻辑切换
本轮 DRAM 行情与此前所有周期最本质的区别在于驱动力的结构性转变。
IDC 预计 2026 年全球 DRAM 市场营收达 4,186 亿美元，同比增长 177%。NAND 市场营收达 1,741 亿美元，同比增长 138.5%。存储产业全年总产值突破 5,500 亿美元，服务器存储取代手机成为第一大需求场景。瑞银认为价格上涨将带动内存行业在 2026 年实现 9,920 亿美元营收。
这一轮增长并非简单的周期性复苏。IDC 明确指出，这不是传统存储器涨跌周期中的又一次上行，而是行业的结构性变革。超大规模数据中心客户正在购买一类完全不同的、更昂贵的存储芯片，并愿意为确保供应支付溢价。
供给端的约束同样具有结构性特征。2025 年行业深度亏损后，原厂普遍采取控产保价策略。半导体先进制程研发、晶圆厂建设周期漫长，叠加人才、能源、审批等多重壁垒，新增产能无法快速落地。美光高管判断，行业供给紧张格局将持续至 2027 年后，2028 年才会迎来供给端逐步改善。
长期协议（LTA）的普及正在改变行业的定价与盈利模式。SK 海力士、三星、美光均以长期供应协议方式向英伟达等主要客户锁定未来 1 至 2 年的供货量与价格。美光已签署 16 份覆盖数据中心、消费电子、汽车领域的长期供货协议，仅已签约协议的保底最低收入就高达 1,000 亿美元。韩国投资证券指出，随着存储器行业转向 3 至 5 年的长期协议结构，企业的价值取决于高盈利能力能持续多久，而非季度平均售价增长率。
结语
AI 服务器需求正在将 DRAM 行业推入一个前所未有的新周期。这个周期的核心特征并非简单的价格上涨，而是需求结构、产能分配、定价模式与行业格局的系统性重构。
HBM 的崛起改变了 DRAM 的产品矩阵，三大巨头的产能倾斜造成了通用 DRAM 的结构性短缺，长期协议的普及正在平滑行业的周期性波动。瑞银预计 DRAM 供需紧张至少持续至 2028 年上半年，KB 证券预测 2027 年将是行业 70 年历史中最紧缺的时期——这些判断指向同一个结论：本轮 DRAM 周期的持续时间与强度，可能远超市场最初的预期。
对于投资者而言，理解 DRAM 从“周期品”向“战略资产”的转变，或许比预测下一个季度的价格涨幅更具长期价值。当存储芯片成为 AI 时代的核心基础设施，其供需逻辑与定价权分配，将深刻影响从半导体到数字资产的整个科技产业链。
FAQ
问：AI 服务器对 DRAM 的需求量比普通服务器高多少？
AI 服务器 DRAM 单台用量为普通服务器的 8 至 10 倍。单台服务器平均 DRAM 搭载量预计从 2025 年的 1,032 GB 增至 2026 年的 1,432 GB。大模型推理与 AI 代理规模化将进一步推动存储需求高速增长。
问：HBM 与传统 DRAM 在生产成本上有何差异？
HBM 由多个 DRAM 芯片垂直堆叠而成，单颗芯片尺寸比普通 DRAM 大两倍以上，在相同存储容量下消耗的晶圆面积和洁净室空间至少是普通 DRAM 的三倍。一片 HBM 晶圆消耗的产能约相当于三片 DDR5。高生产成本也对应高毛利——单颗 HBM 毛利率达 60%-70%，是普通 DRAM 的 4 倍。
问：DRAM 供需紧张预计何时缓解？
瑞银认为 DRAM 行业供需紧张将至少持续至 2028 年上半年。KB 证券预测供给短缺很可能持续至至少 2028 年。美光高管判断行业供给紧张格局将持续至 2027 年后，2028 年才会迎来供给端逐步改善。三大机构的核心分歧不在“是否紧张”，而在“紧张多久”。
问：HBM 市场三巨头的份额格局如何？
2026 年第一季度，SK 海力士以 58% 的营收份额稳居第一，三星电子与美光各占 21%。法人预测全年出货市占率方面，SK 海力士约 52%，三星约 39%，美光约 8%。在 HBM4 领域，Counterpoint Research 预计 SK 海力士 2026 年市占率约 54%，三星约 28%，美光约 18%。三星在 HBM4 验证进度上处于领先地位。
问：DRAM 涨价对消费电子终端价格有何影响？
DRAM 涨价已从上游原厂传导至消费电子终端。据行业分析，PC 与智能手机品牌预计将陆续调涨产品售价 15% 至 20%。华强北等分销市场出现“一天三价”现象，经销商建议非刚需暂缓采购。汽车制造商也开始重新评估部分智能驾驶功能配置以控制零组件成本。
