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预计创历史新高，韩国6月存储半导体出口达380亿至420亿美元
按近期 HBM、NAND 和 SSD 月度增长情况，6 月存储半导体出口总额预计达 380 亿至 420 亿美元，超过上月纪录并创历史新高。6 月各类存储半导体出口额和单价均同步上涨，其中 MCP 即 HBM 出口额环比增长 51%。
受 NVIDIA 等全球大型科技公司持续投资 AI 数据中心影响，以 SK Hynix 为中心的 HBM3E 和 HBM4 供应短缺持续。由于晶圆集中用于 HBM 生产，通用 DRAM 供应相对减少，通用 DRAM 单价升至约去年同期的 2 至 3 倍。NAND 闪存和 SSD 需求随 AI 推理服务器建设扩大而增长，两类产品环比上涨 25%至 28%。存储产品在半导体出口总额中的占比从此前 70%区间升至本月 90%。存储和系统半导体合计出口额达 255 亿美元，6 月半导体出口总额预计为 420 亿至 460 亿美元。
Hanwha Investment & Securities 研究员 Park Junyoung 表示，韩国存储行业近期正依靠长期供应协议和 HBM 两项工具克服弱点，即使未来存储行业盈利下行，营业利润降幅也不会像过去那样严重。